產(chǎn)品概述
去膠工藝是微加工過程中一個重要的過程,在電子束曝光,紫外曝光等微納米加工工藝后,都要對光刻膠進行去除或打底膜處理。光刻膠是否去除干凈對樣片是否有損傷等問題,將直接影響后續(xù)工藝的順利完成。P-MD使用性能出色的組件和軟件,可對工藝參數(shù)進行精確控制。它的工藝監(jiān)測和數(shù)據(jù)采集軟件可實現(xiàn)嚴格的質(zhì)量控制。該技術已經(jīng)成功的應用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學器件、光電、EMS/MOEMS、生物器件、LED等領域。
規(guī)格參數(shù)
| P-MD參數(shù)(標準配置) | ||
| 外部尺寸 | 641*533*451mm | |
| 真空腔尺寸 | 直徑210mm*230mm | 不銹鋼腔體 |
| 電極尺寸 | 125*125mm 間距20-75mm可調(diào) | 二個多控自適應平板電極 |
| 等離子體發(fā)生器 | RF射頻發(fā)生器,頻率:13.56MHz | 自適應阻抗匹配電源 |
| 功率 | 0-200W連續(xù)可調(diào) | 精度1W |
| 工藝氣體要求 | 1/4英寸卡套接口/15-30psig | |
| 工藝氣體種類 | CF4=99.97%; O2=99.996%;N2=99.99% | AR=99.999% 其它氣體咨詢 |
| 氣體控制 | 2路針式氣體流量閥 | 0-300ml |
| 控制方式 | 4.3寸觸摸屏 | 界面顯示實時工作狀態(tài) |
| 保護裝置 | 一鍵急停保護按鈕 | |





