SICma System
SiCma系統(tǒng)專為通過(guò)物理氣象傳輸(PVT)的方式生產(chǎn)碳化硅晶體而開(kāi)發(fā)。在此過(guò)程中,粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華,最后沉積在特定準(zhǔn)備的基片上。這項(xiàng)工藝將通過(guò)使用一個(gè)感應(yīng)線圈在千赫茲范圍內(nèi)完成加熱。隨著工業(yè)領(lǐng)域環(huán)保意識(shí)的提高,PVA TePla也緊跟時(shí)代步伐,通過(guò)對(duì)該感應(yīng)線圈進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)低能源消耗。
可使用的籽晶片尺寸為直徑100至150毫米(4” – 6”)。鑒于該系統(tǒng)的高度自動(dòng)化和緊湊設(shè)計(jì)(較小的占地面積),可以實(shí)現(xiàn)該系統(tǒng)的生產(chǎn)大化。此外,還有一個(gè)用于裝載和卸載設(shè)備的移動(dòng)系統(tǒng),以及眾多可以在模塊基礎(chǔ)上添加的選項(xiàng),例如,真空泵和測(cè)量設(shè)備。
產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽?:
| 晶體直徑: | 6" |
| 4英寸石英管的內(nèi)徑加工室: | 286 mm |
| 4英寸石英管的內(nèi)徑加工室: | 378 mm |
| 頻率: | 6 - 10 kHz |






