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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱普發(fā)拓普真空設(shè)備(北京)有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2026/2/1 13:38:50
  • 訪問(wèn)次數(shù)96
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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作為高溫下應(yīng)用真空技術(shù)的德國(guó)企業(yè),普發(fā)拓普公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于加壓燒結(jié),真空燒結(jié),高溫真空釬焊,真空擴(kuò)散焊、難熔金屬/貴金屬熔煉澆鑄,石墨提純技術(shù),硅晶體生長(zhǎng)以及等離子清洗技術(shù)等。 普發(fā)拓普公司利用其設(shè)備和服務(wù)支持客戶的創(chuàng)新制造工藝和發(fā)展,特別在航空航天、硬質(zhì)合金、熱交換器、電力/電子、醫(yī)療和光學(xué),以及未來(lái)的能源和環(huán)保技術(shù)等領(lǐng)域。 普發(fā)拓普公司主要致力于研發(fā)、制造和銷售在高溫下進(jìn)行高質(zhì)量材料處理的熱工設(shè)備和系統(tǒng)。普發(fā)拓普公司有著50多年的經(jīng)驗(yàn),在銷售超過(guò)1000套系統(tǒng),得到了業(yè)界企業(yè)和工廠的認(rèn)可,設(shè)備適用于各種不同的工藝。
真空爐
物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT)該物理氣相傳輸系統(tǒng)作為生產(chǎn)碳化硅材料的重要方法具有以下特點(diǎn):產(chǎn)品組合包括標(biāo)準(zhǔn)化的系統(tǒng)以及為客戶定制的解決方案該系統(tǒng)采用緊湊型的產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念,在泵和電源方面為您提供高度靈活性的選擇該系統(tǒng)憑借廣泛的配件選擇以及高度的自動(dòng)化,可實(shí)現(xiàn)工藝高復(fù)制性和提高生產(chǎn)率PVA TePla通過(guò)為客戶提供特定過(guò)程控制系統(tǒng)(如半導(dǎo)體行業(yè)常見(jiàn)的 MES(制造執(zhí)行系統(tǒng)))的接口,提高了應(yīng)用靈活性客戶可......
物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT) 產(chǎn)品信息

物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT)

該物理氣相傳輸系統(tǒng)作為生產(chǎn)碳化硅材料的重要方法具有以下特點(diǎn):

  • 產(chǎn)品組合包括標(biāo)準(zhǔn)化的系統(tǒng)以及為客戶定制的解決方案
  • 該系統(tǒng)采用緊湊型的產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念,在泵和電源方面為您提供高度靈活性的選擇
  • 該系統(tǒng)憑借廣泛的配件選擇以及高度的自動(dòng)化,可實(shí)現(xiàn)工藝高復(fù)制性和提高生產(chǎn)率
  • PVA TePla通過(guò)為客戶提供特定過(guò)程控制系統(tǒng)(如半導(dǎo)體行業(yè)常見(jiàn)的 MES(制造執(zhí)行系統(tǒng)))的接口,提高了應(yīng)用靈活性
  • 客戶可以通過(guò)直接聯(lián)系PVA TePla的專家,隨時(shí)對(duì)工藝制作過(guò)程中可能發(fā)生的意外或變化進(jìn)行及時(shí)的修正、調(diào)整和系統(tǒng)優(yōu)化

多年來(lái),所謂的物理氣相傳輸 (PVT) 工藝已成為生產(chǎn)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的碳化硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)方法。在此過(guò)程中,SiC 源材料,通常是 SiC 粉末,在超過(guò) 2000°C 的溫度下通過(guò)升華轉(zhuǎn)化為氣相。然后在已有籽晶上從氣體成分凝華形成SiC單晶。

隨著可再生能源不斷擴(kuò)張的同時(shí)移動(dòng)應(yīng)用對(duì)于電力驅(qū)動(dòng)的需求也在不斷增長(zhǎng), 而高效和輕質(zhì)的電力電子設(shè)備正在市場(chǎng)不斷擴(kuò)張。雖然硅具有幾乎理想的微電子學(xué)特性,但就目前電子級(jí)應(yīng)用而言,該材料系統(tǒng)正日益達(dá)到其物理極限。與硅相比,碳化硅具有更大的禁帶帶隙、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和更高的熱導(dǎo)率,使該材料系統(tǒng)成為制造高達(dá)千伏范圍的電子器件的理想選擇。

憑借SiCma產(chǎn)品組,PVA TePla 十多年來(lái)一直專注于生產(chǎn)和研究SiC單晶,立志將其開(kāi)發(fā)成成功、符合商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以及可在PVT系統(tǒng)中自由使用的材料之一。

PVA TePla的物理氣相傳輸系統(tǒng)已經(jīng)在眾多科學(xué)和工業(yè)領(lǐng)域的客戶中多次證明了自己的實(shí)力。通過(guò)持續(xù)的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)以及與來(lái)自工業(yè)界和科學(xué)界的合作伙伴的深入合作,確保PVT系統(tǒng)始終滿足當(dāng)前SiC行業(yè)的嚴(yán)苛要求。

SiCma 系統(tǒng) - 專為生產(chǎn)碳化硅晶體所研發(fā)

碳化硅晶體生長(zhǎng)爐

SiCma系統(tǒng)專為通過(guò)物理生產(chǎn)碳化硅晶體而開(kāi)發(fā)。

SICma System

SiCma系統(tǒng)專為通過(guò)物理氣象傳輸(PVT)的方式生產(chǎn)碳化硅晶體而開(kāi)發(fā)。在此過(guò)程中,粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華,最后沉積在特定準(zhǔn)備的基片上。這項(xiàng)工藝將通過(guò)使用一個(gè)感應(yīng)線圈在千赫茲范圍內(nèi)完成加熱。隨著工業(yè)領(lǐng)域環(huán)保意識(shí)的提高,PVA TePla也緊跟時(shí)代步伐,通過(guò)對(duì)該感應(yīng)線圈進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)低能源消耗。

可使用的籽晶片尺寸為直徑100至150毫米(4” – 6”)。鑒于該系統(tǒng)的高度自動(dòng)化和緊湊設(shè)計(jì)(較小的占地面積),可以實(shí)現(xiàn)該系統(tǒng)的生產(chǎn)大化。此外,還有一個(gè)用于裝載和卸載設(shè)備的移動(dòng)系統(tǒng),以及眾多可以在模塊基礎(chǔ)上添加的選項(xiàng),例如,真空泵和測(cè)量設(shè)備。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽?:

晶體直徑:6"
4英寸石英管的內(nèi)徑加工室:286 mm
4英寸石英管的內(nèi)徑加工室:378 mm
頻率:6 - 10 kHz
15168338725
產(chǎn)品對(duì)比
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