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300ZH型全程水處理器

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300ZH型全程水處理器 300ZH型全程水處理器 品牌 名清源Mikwin 型號(hào) MWK-300ZH-QC1

詳細(xì)介紹

300ZH型全程水處理器

300ZH型全程水處理器
300ZH型全程水處理器
 
品牌 名清源 Mikwin 型號(hào) MWK-300ZH-QC1.0
進(jìn)出口管徑 DN300 適用流量 450-660m3/h
工作電壓 220V±10%/50Hz 功率 200W
設(shè)備尺寸 D800*H1400mm 重量 430kg
適用水質(zhì)硬度 <1000mg/l 濾網(wǎng)孔徑 2.5微米(可選)
除垢阻垢率 >95% 殺菌滅藻率 >95%
緩蝕率 ≤0.092mm/a 額定工作介質(zhì)溫度 0-95℃
工作壓力 ≤1.6Mpa 工作環(huán)境溫度 0-50℃

 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
       全程水處理器是針對(duì)各種循環(huán)水系統(tǒng)中普遍存在的四大問(wèn)題:腐蝕、結(jié)垢、菌藻、水質(zhì)惡化而研制的綜合處理器,由單臺(tái)設(shè)備代替了需要多臺(tái)設(shè)備才能完成的處理過(guò)程,從而取代了傳統(tǒng)的處理方式。具有對(duì)水質(zhì)綜合優(yōu)化處理,防垢、防腐、殺菌、滅藻、超凈過(guò)濾功能.
 
工作原理
       全程綜合水處理器主要由優(yōu)質(zhì)碳鋼筒體、特殊結(jié)構(gòu)的不銹鋼網(wǎng)、高頻電磁場(chǎng)發(fā)生器、電暈場(chǎng)發(fā)生器及排污裝置等組成。通過(guò)活性鐵質(zhì)濾膜,機(jī)械過(guò)濾器變徑孔阻擋及電暈效應(yīng)場(chǎng)三位一體的綜合過(guò)濾體,吸附、濃縮在實(shí)際運(yùn)行工況下各種水系統(tǒng)形成的硬度物質(zhì)及復(fù)合垢,降低其濃度,達(dá)到控制污垢及大部分硬度垢的目的。并通過(guò)換能器將特定頻率能量轉(zhuǎn)換給被處理的介質(zhì)——水,形成電磁極化水,使其成垢離子間的排列順序位置發(fā)生扭曲變形,當(dāng)水溫升高到一定程度時(shí),處理的水需經(jīng)過(guò)一段時(shí)間方能恢復(fù)到原來(lái)的狀態(tài)。在此階段,成垢的機(jī)率很低,因而達(dá)到控制形成硬度垢的目的。同時(shí)器壁金屬離子受到抑制,對(duì)無(wú)垢系統(tǒng)具有防腐蝕作用。此外,電磁極化水還可有效地殺滅水中的菌類、澡類等,有效地抑制水中微生物的繁殖。所以,全程綜合水處理器在系統(tǒng)正常運(yùn)行狀態(tài)下,可以完成防結(jié)垢、防腐,殺菌,滅藻,超凈過(guò)濾,控制水質(zhì)的綜合功能。
       1.防垢除垢:由主機(jī)產(chǎn)生電磁場(chǎng)和超聲波作用于水系統(tǒng)管路上,使管道內(nèi)水分子產(chǎn)生共振,把氫鍵締合的水分子團(tuán)變成單個(gè)的極性,改變了水的活化性,這些極微小的水分子可以滲透、包圍、溶解、去除系統(tǒng)中的老垢提高了水分子對(duì)鈣鎂離子、碳酸根離子等成垢組分的水合能力,起到阻止水垢形成的作用。同時(shí),在電磁場(chǎng)和超聲波的作用下,使原有的水垢結(jié)晶逐漸變得松軟、脫落、溶解,從而達(dá)到除垢之目的。
       2.防腐防銹:氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕是水系統(tǒng)管道及設(shè)備腐蝕和生銹的主要原因,而在電磁場(chǎng)和超聲波的作用下,水垢得以控制和去除,溶解氧與水分子結(jié)合不易析出,從而抑制氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕的發(fā)生起到良好的防腐阻銹的作用。
       3.殺菌滅藻:電磁場(chǎng)在工作時(shí)產(chǎn)生微電子流使細(xì)菌、藻類賴以生存的環(huán)境被破壞,并且溶解氧在電磁場(chǎng)和超聲波的作用下形成一些如O3、H2O2等對(duì)細(xì)菌、藻類具殺傷力的物質(zhì),起到殺菌滅藻的作用。
       其一,地球上的生物一般只適應(yīng)地區(qū)表面的電場(chǎng)強(qiáng)度(130V/m),該處理器改變電場(chǎng)強(qiáng)度,改變或影響細(xì)菌的生理代謝,如基因表達(dá)程序、酶活性等,最后導(dǎo)致細(xì)菌死亡。
       其二,細(xì)胞膜有許多對(duì)外聯(lián)系的離子通道,離子通道的調(diào)節(jié)直接影響細(xì)胞的功能和生命。處理器產(chǎn)生的外電場(chǎng)破壞了細(xì)胞膜上的離子通道,改變了調(diào)節(jié)細(xì)胞功能的內(nèi)控電流,影響細(xì)菌的生命。同時(shí)形成強(qiáng)電場(chǎng)產(chǎn)生的高速運(yùn)動(dòng)的電子將細(xì)胞致死,達(dá)到殺菌的目的。
       其三,電場(chǎng)處理水過(guò)程中,溶解氧得到活化,超氧陰離子自由基、羥基自由基、*、單線態(tài)氧等活性氧?;钚匝鯇?duì)微生物機(jī)體產(chǎn)生作用,造成有機(jī)體衰老,直至死亡。
 
產(chǎn)品特點(diǎn)
       1.設(shè)備綜合性能遠(yuǎn)高于一般的“射頻水處理器”、“電子水處理器”及“磁水處理器”等。
       2. 各發(fā)射極利用差轉(zhuǎn)屏蔽效應(yīng)及多點(diǎn)陣列組合。相互之間無(wú)干擾,針對(duì)性強(qiáng)。
       根據(jù)不同的水系統(tǒng)和存在的不同問(wèn)題,設(shè)備分為A型、B型、C型、D型、E型、F型。
       A型:防腐、防銹、脫色、超凈過(guò)濾;
       B型:防垢,除垢、超凈過(guò)濾;
       C型:殺菌、滅藻、超凈過(guò)濾;
       D型:殺菌、滅藻、防垢、超凈過(guò)濾;
       E型:防腐、防銹、防垢、除垢、超凈過(guò)濾;
       F型:殺菌、滅藻、防垢、防腐、超凈過(guò)濾。
 
技術(shù)參數(shù)
       1.緩蝕率:≤0.092mm/a,管道的銹蝕速度降低至原來(lái)的1/10;
       2.阻垢、除垢率:≥95%;
       3.殺菌率:≥95%;
       4.滅藻率:≥95%;
       5.過(guò)濾精度:可根據(jù)用戶需求選擇;
       6.水溫:≤50℃(特殊情況可定制);
       7.工作壓力:≤1.6Mpa;
       8.工作溫度:0℃~+95℃;
       9.工作環(huán)境溫度:0℃~+50℃;
       10相對(duì)濕度:<95%?。?/div>
       11.平均工作時(shí)間:>60000小時(shí) ;
       12.設(shè)計(jì)壽命:20年 ;
       13.工作電壓:220V±10%/50Hz ;
       14.安全絕緣電壓:5000V。
 
應(yīng)用領(lǐng)域
       1.空調(diào),冷水機(jī)組,制冷機(jī);冷卻、冷凍循環(huán)水系統(tǒng)。
       2.采用系統(tǒng):在供暖、供熱的熱水循環(huán)系統(tǒng)。
       3.工業(yè)、民用、冷卻水:在工業(yè)、民用、工藝?yán)鋮s循環(huán)水系統(tǒng)。
       4.公寓、酒店:生活洗浴熱水循環(huán)系統(tǒng),餐飲、洗衣房、游泳池等。
       5.地?zé)崴到y(tǒng):利用地?zé)崴M(jìn)行洗浴,采暖的循環(huán)系統(tǒng)。
 
安裝事項(xiàng)
       1.本設(shè)備與系統(tǒng)管路安裝完畢,調(diào)試合格后,接通設(shè)備主體配電箱上的電源(交流220V/50Hz),配電箱指示燈亮,設(shè)備正常運(yùn)行。
       2.保持控制器外殼干燥。
       3.設(shè)備可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)具體情況,選擇水平或垂直安裝。
       4.設(shè)備之間凈距離不小于1500mm;設(shè)備與墻體凈距離不小于1000mm;設(shè)備與四周應(yīng)留出不小于500mm的維修空間。
       5.使用本設(shè)備處理過(guò)的水應(yīng)立即進(jìn)入受熱設(shè)備或循環(huán)設(shè)備,中間不宜設(shè)停存設(shè)備。
       6.設(shè)備進(jìn)出口管道上,應(yīng)以靠近管口處設(shè)置管道支架;直接與容器管口相連接的閥門下面宜設(shè)置支架。
       7.重要部位可采用旁通式安裝,以便在不停機(jī)狀態(tài)下檢修設(shè)備。
       8.設(shè)備的安裝位置離冷卻設(shè)備越近,處理效果越佳;但離墻面、主體設(shè)備的距離宜大于400mm。
       9.為旁通式安裝,以滿足在不停機(jī)狀態(tài)下檢修設(shè)備及沖洗濾體的需要。
       10.若變頻智能水處理器的設(shè)備本體與控制箱要分體安裝,則設(shè)備本體與控制箱之間的距離不宜超過(guò)三米。

 


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